Estudio de películas delgadas de CdS dopado con Sb2S3 por la técnica de PLD, para su potencial aplicación en dispositivos electrónicos
Tesis de maestría en nanotecnología
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| मुख्य लेखकों: | , |
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| अन्य लेखक: | |
| प्रकाशित: |
SALGADO MEZA, MICHELLE JUDITH
2014
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| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | http://repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/6190 |
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repositorioinstitucional-unison-61902021-09-09T01:04:44Z Estudio de películas delgadas de CdS dopado con Sb2S3 por la técnica de PLD, para su potencial aplicación en dispositivos electrónicos SALGADO MEZA, MICHELLE JUDITH; 502225 SALGADO MEZA, MICHELLE JUDITH QUEVEDO LOPEZ, MANUEL ANGEL; 122619 FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO. LÁMINA DELGADA QC176.83 .S24 Películas delgadas Semiconductores Tesis de maestría en nanotecnología Tesis de maestría en nanotecnología. En este trabajo se realizó la fabricación de películas delgadas de sulfuro de cadmio por el método de depósito por láser pulsado y posteriormente se doparon con Sb2S3 por la técnica de co-depósito en el mismo equipo sobre sustratos de vidrio y silicio mecánico. Los depósitos fueron realizados a una temperatura de 100°C y 350°C mismos que después fueron sometidos a un tratamiento térmico a 150°C y 400°C respectivamente en un ambiente de Hidrógeno-Nitrógeno conocido como gas formante por 1 hora. Los dopajes se realizaron con valores de 0, 1, 3, 5, 7 y 10%. El análisis de las propiedades físicas, químicas, eléctricas y ópticas de las películas se realizó utilizando los métodos de: difracción de rayos X, espectroscopía fotoelectrónica de rayos X, absorción ultravioleta visible, microscopía electrónica de barrido, mediciones de corriente-voltaje por el método de 4 puntas. Los resultados obtenidos mostraron que se obtuvieron películas delgadas uniformes con espesores de aproximadamente 100 nanómetros y con ambas estructuras cristalinas típicas del CdS, cúbica y hexagonal, la resistencia del material semiconductor disminuyó conforme se aumentó la concentración de dopaje mientras que la banda prohibida aumentó. Se fabricaron transistores de película delgada canal N usando la técnica de máscara de sombra con una estructura compuerta inferior, contacto superior, utilizando óxido de hafnio como dieléctrico de compuerta, depositado por la técnica de depósito en capas atómicas. Universidad de Sonora. Departamento de Física, 2014 2014-10 1803153 http://repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/6190 PDF SALGADO MEZA, MICHELLE JUDITH |
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